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STW58N65DM2AG相关型号
ST热销型号

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图片仅供参考，请参考产品描述

  • STW58N65DM2AG

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 48A
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，STW58N65DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列汽车级，AEC-Q101，MDmesh™ DM2
  • 零件状态有源
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）650V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）48A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）65 毫欧 @ 24A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）88nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±25V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）4100pF @ 100V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）360W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247
  • 封装/外壳TO-247-3

其它信息

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